(Julian) Bereits nächstes Jahr soll die nächste Generation des DDR-Speichers in den Startlöchern stehen. Denn dort soll die Produktion ihren Start aufnehmen.
Mit einer breiten Verfügbarkeit kann man wohl erst im darauffolgenden Jahr rechnen. Die neue Version soll deutlich schneller und 40 Prozent energieeffizienter sein.
Die ersten Produkte wurden bereits auf der ISSCC (der International Solid-State Circutis Conference) von Samsung und Hynix vorgestellt. Hynix zeigte ein DDR4-Modul mit einer Taktung von 2400 MHz und Samsung eines mit einer Taktung von 2133 MHz jeweils 1,2 Volt Spannung
Zum Vergleich: DDR3 braucht eine Spannung von 1,3 bis 1,7 Volt.
Während Hynix noch in 38 nm fertigte, war Technik-Riese Samsung bereits mit einer Fertigung von 30 nm vorraus. Andere Hersteller haben bislang noch keinen Prototypen gezeigt.
Quelle: guru3d.com
