Intel/Micron und Toshiba präsentieren 3D NAND Flash Speicher

Erstellt am 16. Mai 2015 von Vactum

präsentiert von swisssmp.ch/news

Intel Corp. und Micron Tech. künden 10 TB SSDs an

Die Zusammenarbeit von Intel Corporation und Micron Technology hat Früchte getragen. Am 26. März präsentierten sie eine neue Art von Flash Speicher, genannt 3D NAND. In dieser Art von Flash Speicher werden die Datenzellen vertikal mit extrem hoher Genauigkeit gestapelt. So werden Speicherkapazitäten erzielt, welche drei Mal höher sind als bisherige Drives mit der NAND Technologie. Bei höherer Speicherkapazität springen aber auch tiefere Materialkosten, weniger benötigter Platz, geringerer Energiekonsum und hohe Leistung raus.

Brian Shirley, Vizepräsident von Speichertechnologie und Lösungen von Micron meint dazu: „Der Fortschritt von Flashspeicher, wie er momentan in Smartphones bis hin zu Supercomputern verwendet wird, kratzt nur an der Oberfläche von dem, was eigentlich möglich wäre.“

Für die Nummernfreunde unter euch: Die 3D NAND Technologie stapelt die Flashzellen in 32 Schichten vertikal und erreicht dadurch 256 GB multilevel cell (MLC) und 384 GB triplelevel cell (TLC) Die (Halbleitertechnik), welche aber in ein Standard „Pack“ passen. Durch diese, im Verhältnis zu herkömmlichen Flashspeicher enormen, Speicherkapazitäten können wir bald mit kaugummigrossen 3.5 TB oder auch normalen 2.5“ SSDs mit mehr als massiven 10 TB rechnen.

Die 256 GB MLC Speicher gibt es schon als Testprodukte bei ausgewählten Partnern, währenddessen die 384 GB TLC Versionen noch ein wenig (später diesen Frühling) auf sich warten lassen.

Toshiba toppt Intel und Micron

Hast du das Vorherige schon verdaut und freudige Luftsprünge gemacht ab der Idee, 10 TB SSDs in deinem Computer einzubauen und nie wieder Ladezeiten in deinen Spielen zu haben? Und das alles noch für den Preis eines etwas teureren Butterbrotes (Angaben ohne Gewähr)? Dann darfst du jetzt noch einmal springen, sogar höher als vorher, denn Toshiba kündigte am gleichen Tag, dem 26. März (Zufall? Ich denke nicht!), einen Flashspeicher an, der ebenso die 3D NAND Technologie verwendet. Mit dem kleinen Unterschied, dass Toshiba 48 Schichten verwenden will, währenddessen Intel und Micron „nur“ 32 Schichten verwenden. Das sind 50% mehr Schichten. Shrek hätte seine Freude daran.

Toshiba gibt dem Flashspeicher den Namen BiCS (Bit Cost Scalable = Three Dimensional Stacked Structure Flash Memory). Die Firma baut extra eine neue Fabrik (Fab2) für die Massenproduktion von Flashspeichern. Während Intel und Micron schon jetzt Testgeräte verschickt haben, muss man sich bei Toshiba noch mindestens bis Mitte 2016 gedulden.

Nun, die Anzahl Schichten sind natürlich nicht alles, was man beachten sollte beim Vergleich dieser zwei Flashspeicher. Toshibas 48 Schicht Speicher könnte effizienter sein, auch weil er erst ca. 1 Jahr später verfügbar sein wird und noch mehr Entwicklungszeit bekommen könnte. Die Produktionskosten werden aber deutlich höher sein, während die Bitdichte bei Intel aber wiederum kleiner ist und somit wird Toshibas Chip -theoretisch- kosteneffizienter. Aber ich bewege mich mittlerweile auf dünnen Ästen, darum freue ich mich nun einfach mit euch auf die zukünftigen SSDs, welche meine ganze Steambibliothek beherbergen können werden.

Von PermafrostMusic

Quellen:
toshiba.co.jp
intel.com

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